Seminarium "Coherence-Correlations-Complexity" (KFT, PWr)
Sala 320a bud. A-1, Politechnika Wrocławska
1. Orbity wężowe w grafenie"
"2. Ułamkowa kwantyzacja rezystancji w złączach n-p-n w grafenie
Krzysztof Kolasiński1, Alina Mreńca-Kolasińska2
Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej AGH
Orbity wężowe w grafenie
W wysokich polach magnetycznych działająca na elektrony (bądź dziury) w grafenie siła Lorentza, spycha poruszające się nośniki w stronę krawędzi układu, tworząc tzw. prądy krawędziowe. W grafenie możliwa jest zmiana typu nośników za pomocą zewnętrznych elektrod, przy czym taka modyfikacja może mieć charakter lokalny. Istnieje zatem możliwość generowania w grafenie obszarów o różnych współczynnikach wypełnienia. W szczególności na prezentacji omówiony zostanie najprostsze z takich urządzeń - złącze n-p. Dodatkowo, wyjaśniona zostanie idea tzw. prądów wężowych jakie tworzą się na interfejsie złącza oraz ich powiązanie z klasyczną teorią, gdzie elektrony poruszają się po orbitach cyklotronowych.
Ułamkowa kwantyzacja rezystancji w złączach n-p-n w grafenie.
W złączach n-p indukowanych przy pomocy bramek elektrostatycznych w grafenie, w wysokich polach magnetycznych prąd propaguje się w stanach krawędziowych oraz wzdłuż złącza n-p. Mieszanie propagujących się modów na granicy obszarów n i p złącza prowadzi do rezystancji będącej ułamkiem stałej von Klitzinga (h/e^2). W prezentacji przedstawione zostaną modele wyjaśniające to zjawisko oraz wynik doświadczenia z kwantowym kontaktem punktowym indukowanym przez podwójną bramkę (split-gate). Okazuje się, że zmierzony w doświadczeniu opór można wytłumaczyć poprzez model analogiczny jak dla prostszych złącz n-p i n-p-n i możliwe jest obliczenie analitycznych wzorów na rezystancję. Ponadto zaprezentowane zostaną wyniki symulacji transportu w urządzeniu z podwójną bramką przy użyciu metody ciasnego wiązania.
