Wydarzenia

Technologie światłowodowe w coraz większym stopniu wypierają klasyczne kanały transmisji w telekomunikacji, co z kolei jest czynnikiem stymulującym rozwój współczesnej optoelektroniki. Urządzenia nadawcze i odbiorcze wykorzystują zwykle elementy półprzewodnikowe oparte na układach niskowymiarowych. Stopy półprzewodnikowe są obiecującymi materiałami do takich zastosowań dzięki możliwości mody kowania w procesie technologicznym ich właściwości elektronowych, poprzez sterowanie składem, rozmieszeniem jonów czy wprowadzanie naprężeń. Przewidywanie właściwości zycznych materiałów jest kluczowa na etapie projektowania urządzeń. Możliwość taką dają obliczenia dużej skali z zasad pierwszych. Możliwe jest czysto teoretyczne wyznaczanie ważnych cech struktury elektronowej (dyspersje elektronów, przerwy energetyczne, o sety pasm) w funkcji parametrów strukturalnych (skład i kon guracja jonów, naprężenia). Informacje te wykorzystuje się następnie w modelach urządzeń celem wyznaczenia ich charakterystyk. Obliczenia ab ini o umożliwiają zbadania w stosunkowo krótkim czasie i niewielkim kosztem wielu hipotetycznych układów i wskazanie takiego, który jest najbardziej właściwy dla konkretnego zastosowania. W prezentacji pokazane zostaną najważniejsze aspekty takich obliczeń na przykładzie związków III-V rozrzedzanych bizmutem oraz stopu Ge_1-xSn_x.