Instytucja:  Wrocławska Szkoła Doktorska Instytutów Polskiej Akademii Nauk,

Instytut Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych im. W. Trzebiatowskiego Polskiej Akademii Nauk

Miasto: Wrocław
Stanowisko: uczestnik szkoły doktorskiej (wykonawca projektu badawczego)
Dyscyplina: nauki chemiczne
Data ogłoszenia: 19/01/2022
Termin składania dokumentów: 18/02/2022
Data rozstrzygnięcia konkursu: wyniki rekrutacji zostaną podane do 7 dni po zakończeniu rozmów kwalifikacyjnych
Link do strony: http://wsdipan.intibs.pl

Słowa kluczowe: nanomateriały, spektroskopia optyczna, fotoprzewodnictwo

Wrocławska Szkoła Doktorska Instytutów Polskiej Akademii Nauk (WSD IPAN) ogłasza rekrutację specjalną dla doktoranta – stypendysty (wykonawcy) w projekcie badawczym.

Badania oraz praca doktorska będą realizowane w związku z realizacją projektu badawczego  Przestrajalne źródło emisji wzbudzane diodą laserową pracy ciągłej: zjawisko, mechanizm, sterowanie i zastosowania realizowanego na zlecenie Narodowego Centrum Nauki (grant Sheng nr 2021/40/Q/ST5/00220) w Oddziale Spektroskopii Optycznej Instytutu Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych Polskiej Akademii Nauk we Wrocławiu.

Rekrutacja prowadzona jest zgodnie z Zasadami Rekrutacji do Wrocławskiej Szkoły Doktorskiej Instytutów Polskiej Akademii Nauk na rok akademicki 2020/21 znajdującymi się pod linkiem: https://www.intibs.pl/goto/WSD_rekrutacja_2021-22 oraz  zgodnie z przepisami ustawy z dnia 20 lipca 2018 r. Prawo o szkolnictwie wyższym i nauce.

Opis projektu

Głównym celem badań prowadzonych w ramach tego projektu jest zbadanie zjawiska szerokopasmowej indukowanej laserowo emisji (LIE) i towarzyszącego fotoprądu generowanego z czystych i domieszkowanych lantanowcami półprzewodników GaN i AlN
w formie nanoceramiki i cienkich warstw zarówno w zakresie widzialnym, jak
i podczerwonym. Przewiduje się, widma LIE otrzymane z nanoceramik i cienkich warstw GaN i AlN mogą być przestrajalne pod wpływem mocy wzbudzenia i dostarczanego pola elektrycznego. Emisja szerokopasmowa indukowana laserem jest ostatnio intensywnie badana w różnych nano- i mikrokrystalicznych materiałach ziem rzadkich. Do tej pory większość badań prowadzono dla dielektrycznych związków nanokrystalicznych domieszkowanych lantanowcami. Znacznie mniej uwagi poświęcono materiałom półprzewodnikowym. Azotek galu GaN jest ważnym związkiem półprzewodnikowym
o szerokiej przerwie energetycznej (3,4 eV) do zastosowań w nowoczesnej elektronice. Do realizacji tego projektu badawczego wybrano niedomieszkowane i domieszkowane lantanowcami półprzewodniki GaN i AlN.

Otrzymane materiały (czyste i domieszkowane lantanowcami) zostaną szczegółowo scharakteryzowane pod względem struktury i morfologii oraz ich wpływu na właściwości spektroskopowe LIE zarówno w zakresie widzialnym, jak i bliskiej podczerwieni. Dodatkowo zostaną wykonane pomiary w funkcji gęstości mocy wzbudzenia i ciśnienia otaczającego próbkę. Badania obejmą również pomiary fotoprzewodnictwa. Prace badawcze zostaną rozszerzone o zbadanie wpływu różnych źródeł światła na właściwości emisji. Ponadto zostaną wytworzone cienkie warstwy azotku metalu (czyste i domieszkowane lantanowcami). Zbadany zostanie wpływ różnych warunków rozpylania na proces wzrostu cienkiej warstwy. Pomiary spektroskopowe obejmą badania zależności intensywności LIE od kilku parametrów materiałowych, takich jak współczynnik absorpcji, grubość warstwy, rodzaj domieszki oraz jej stężenie. Ponadto badanie dynamiki i mechanizmów procesu LIE będzie badane poprzez monitorowanie zmian właściwości materiałów (w tym przewodnictwa elektrycznego, współczynnika odbicia, temperatury itp.). Pozwoli to na śledzenie dynamicznej odpowiedzi materiałów w procesie generacji LIE i ustalenie relacji między jej intensywnością, a odpowiedzią materiałów. Po szczegółowej analizie będzie można określić czynniki wpływające na intensywność LIE.

Wymagania

  • tytuł zawodowy magistra, magistra inżyniera albo równorzędny z chemii, inżynierii materiałowej lub kierunków pokrewnych uprawniający do podjęcia kształcenia w szkole doktorskiej;
  • zainteresowania naukowe w obszarze syntezy nanocząstek, luminescencji, fotoprzewodnictwa;
  • wiedza i doświadczenie w metodach syntezy nanocząstek: zol-żel, solwotermalna, spaleniowa oraz charakteryzacji strukturalnej otrzymanych materiałów;
  • dobra znajomość języka angielskiego;
  • motywacja do pracy naukowej, sumienność, samodzielność, umiejętność pracy w zespole, kreatywność;
  • spełnienie wymagań rekrutacyjnych do Wrocławskiej Szkoły Doktorskiej Instytutów Polskiej Akademii Nauk.

 

Doktorant zobowiązany będzie do:

  • realizacji indywidualnego planu badawczego, spójnego z realizowanym projektem badawczym;
  • syntezy wybranych GaN oraz AlN domieszkowanych jonami lantanowców;
  • charakteryzacji strukturalnej uzyskanych materiałów;
  • charakteryzacji spektroskopowej;
  • analizy danych, przygotowywania raportów i publikacji naukowych;
  • udziału w konferencjach naukowych.

Stypendium

Doktorant w czasie 4-letniego programu kształcenia będzie otrzymywać stypendium doktoranckie.

Doktorantowi może zostać przyznane podwyższone stypendium finansowane przez okres 30 miesięcy ze środków projektu w wysokości 4276,06 brutto. Pozostałe miesiące finansowane będą w ramach i w wysokości obowiązującej we Wrocławskiej Szkole Doktorskiej Instytutów Polskiej Akademii Nauk.

Wymagane dokumenty

Wymagane dokumenty określone zostały w dokumencie Zasady rekrutacji do Wrocławskiej Szkoły Doktorskiej Instytutów Polskiej Akademii Nauk na rok akademicki 2021/2022 znajdującym się pod linkiem: https://www.intibs.pl/goto/WSD_rekrutacja_2021-22

Dokumenty należy składać:

  • osobiście w siedzibie Szkoły (tj. w Sekretariacie Instytutu Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych PAN przy ul. Okólnej 2 we Wrocławiu) w godzinach od 9:00 do 15:00 albo
  • przesyłką pocztową rejestrowaną lub kurierską (decyduje data wpływu dokumentów do siedziby Szkoły) na adres: WSD IPAN, ul. Okólna 2, 50-422 Wrocław,
    albo
  • elektronicznie na adres  , przy czym oryginały dokumentów należy dostarczyć przed rozpoczęciem kształcenia (niedopełnienie tego wymogu będzie skutkowało skreśleniem z listy doktorantów).

Dodatkowe informacje

  • Informacja o wyniku zostanie umieszczona na stronie BIP INTiBS PAN oraz na stronie WSDIPAN

Klauzula informacyjna

Pani/Pana dane osobowe są gromadzone i przetwarzane przez Wrocławską Szkołę Instytutów Polskiej Akademii Nauk we Wrocławiu zgodnie z informacją o przetwarzaniu danych osobowych dostępną na stronie: https://www.intibs.pl/images/Dla_studento/Szkola_doktorska/Dokumenty/Informacja_RODO_PL.pdf