Instytucja: Instytut Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych PAN
Miasto: Wrocław
Stanowisko: stypendysta(-ka)
Liczba stanowisk: 1
Dyscyplina naukowa: nauki fizyczne
Data ogłoszenia: 29.05.2023
Termin składania dokumentów: 05.06.2023
Termin rozstrzygnięcia: 06.06.2023
Link do strony: https://www.intibs.pl/  
Słowa kluczowe: Biała emisja; Fotoprzewodnictwo; Półprzewodniki; Cienkie warstwy; Nanoceramiki 

Instytut Niskich Temperatur i Badań Strukturalnych Polskiej Akademii Nauk we Wrocławiu ogłasza konkurs na stypendium naukowe finansowane z projektu pt. „Przestrajalne źródło emisji wzbudzane diodą laserową pracy ciągłej: zjawisko, mechanizm, sterowanie i zastosowania”, realizowanego na zlecenie Narodowego Centrum Nauki (grant SHENG 2 nr 2021/40/Q/ST5/00220) w Oddziale Spektroskopii Optycznej.

Wysokość stypendium naukowego wynosić będzie miesięcznie 2000 PLN i zostanie przyznane na okres 6 miesięcy z możliwością przedłużenia do maksymalnie 12 miesięcy. Stypendium będzie wypłacane na podstawie umowy zawartej pomiędzy stypendystą a Dyrektorem INTiBS PAN z dniem 01.07.2023. 

Opis zadań

Do zadań stypendysty(-ki) będą należały: otrzymanie próbek w postaci nanokrystalicznych półprzewodników GaN i AlN domieszkowanych jonami lantanowców oraz przeprowadzenie szczegółowej charakterystyki strukturalnej i spektroskopowej przygotowanych materiałów. Stypendysta/ka będzie zobowiązany do analizy otrzymanych rezultatów i prezentacji wyników. Istnieje możliwość wykonania pracy dyplomowej.

Wymagania w stosunku do kandydata

W trakcie trwania stypendium stypendysta(-ka) musi być studentem co najmniej 3 roku jednolitych studiów magisterskich / 3 roku studiów I stopnia realizowanych w uczelniach na terytorium Polski, uczestnikiem studiów doktoranckich lub doktorantem w szkole doktorskiej, w zakresie fizyki, chemii lub pokrewnym.

Oczekiwania wobec kandydatów:

  • znajomość języka angielskiego na poziomie komunikatywnym, pozwalającym na sprawne posługiwanie się literaturą naukową;
  • doświadczenie w syntezie materiałów nieorganicznych będzie dodatkowym atutem;
  •  doświadczenie w charakterystyce fizykochemicznej materiałów nieorganicznych będzie dodatkowym atutem;
  • umiejętność opracowywania wyników w formie pisemnej i graficznej;
  •  samodzielność, dobra organizacja pracy, umiejętność pracy w zespole.
Przystąpienie do konkursu
Kandydat przystępując do konkursu powinien złożyć:
  1. Wniosek o przyznanie stypendium skierowany do Dyrektora INTiBS PAN. We wniosku należy zawrzeć klauzulę: „Wyrażam zgodę na przetwarzanie moich danych osobowych zawartych w mojej ofercie pracy dla potrzeb niezbędnych do realizacji procesu bieżącej rekrutacji (zgodnie z art. 6 ust. 1 lit. A Ogólnego Rozporządzenia Parlamentu Europejskiego i Rady (UE) 2016/679 z dnia 27 kwietnia 2016 r. w sprawie ochrony osób fizycznych w związku z przetwarzaniem danych osobowych i w sprawie swobodnego przepływu takich danych oraz uchylenia dyrektywy 95/46/WE i ustawy z dnia 10 maja 2018 r. o ochronie danych osobowych (Dz. U. 2018 poz. 1000)”.
  2. Życiorys naukowy, który zawierać będzie informacje na temat:
    • dorobku naukowego kandydata, w tym publikacji w renomowanych wydawnictwach/czasopismach naukowych;
    • osiągnięć wynikających z prowadzenia  badań  naukowych,  stypendiów,  nagród oraz  doświadczenia naukowego  zdobytego w  kraju  lub  za  granicą, warsztatów  
    i szkoleń naukowych, udziału w projektach badawczych;
    • posiadanych kompetencji do realizacji określonych zadań w projekcie badawczym.
  3. Dokumentację potwierdzającą informacje zawarte w życiorysie naukowym, 
    w szczególności kopie artykułów naukowych, certyfikaty, ewentualnie rekomendacje opiekunów naukowych, itp.
  4. Potwierdzenie posiadania statusu studenta lub doktoranta w całym okresie na który przyznane zostanie stypendium.

Podania w formie elektronicznej należy przesłać na adres e-mail:  z tytułem wiadomości „Konkurs na stypendystę SHENG 2 w OSO ” w terminie do 05.06.2023r.

Dodatkowe informacje

Konkurs przeprowadzony zostanie zgodnie z „Regulaminem przyznawania stypendiów naukowych NCN w projektach badawczych finansowanych ze środków Narodowego Centrum Nauki” będącego załącznikiem do uchwały Rady NCN nr 25/2019 z dnia 14 marca 2019 roku.

Dane osobowe

Pani/Pana dane osobowe są gromadzone i przetwarzane przez Instytut Niskich Temperatur 
i Badań Strukturalnych PAN we Wrocławiu zgodnie z informacją o przetwarzaniu danych osobowych dostępną na stronie: https://bip.intibs.pl/artykuly/173/rodo