Seminar of Physics of Wrocław University of Technology
11:15, 14-10-13 PWr, bud. A1, sala 322
Magnetyczne złącza tunelowe (MTJ) w zastosowaniach do elektroniki spinowej
prof. dr hab. Tomasz Stobiecki
Wydział Elektroniki, AGH
W referacie zostaną omówione fizyczne podstawy magnetycznych, metalicznych struktur wielowarstwowych,
z których w procesie litografii elektronowej wytwarzane są nanopilary MTJ (Magnetic Tunnel Junction).
Przedyskutowane będzie zjawisko spinowych oscylacji mikrofalowych oraz efekt przełączania magnetycznego,
za pomocą spinowo–spolaryzowanego prądu, na przykładzie Spin Torque oscylatorów i komórek pamięci M–RAM.
Na końcu omówione będą przykłady modyfikacji polem elektrycznym statycznych i dynamicznych magnetycznych
własności złącza MTJ.
