Seminar of Physics at Wrocław University of Technology
Sala 322, bud. A-1, PWr
Złącze tunelowe w strukturach InAlGaN - klucz do nowych aplikacji
prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie
Pierwsze diody tunelowe p-n zostały zademonstrowane przez Esakiego w InSb po koniec lat 50 XX wieku. Jednakże jeszcze do niedawna utarte było przekonanie, że dla półprzewodników szerokoprzerwowych (np. takich jak GaN) złącza tunelowe nie mogą mieć praktycznych zastosowań z powodu spadku prawdopodobieństwa tunelowania poprzez złącze p-n wraz ze wzrostem przerwy energetycznej. W prezentacji zostanie omówiony sposób wytwarzania azotkowych złącz tunelowych p-n o niskim oporze szeregowym przy wykorzystaniu efektów związanych z silnymi polami elektrycznymi w heterostrukturach GaN/InGaN/GaN oraz GaN/AlGaN/GaN. Prezentowane struktury azotkowe wytwarzane były metodą epitaksji z wiązek molekularnych przy użyciu plazmy azotowej (PAMBE) w której wzrost warstw domieszkowanych na p-typ nie wymaga aktywacji (odbywa się bez wodoru). Zademonstrowane zostaną wielokolorowe kaskadowe diody elektroluminescencyjne (TJ LEDs) oraz diody laserowe ze złączem tunelowym (TJ LDs) wytworzone metodą PAMBE. Omówimy również zalety i wady technologii PAMBE oraz MOVPE (epitaksja z fazy gazowej) do wytwarzania urządzeń półprzewodnikowych ze złączami tunelowymi a także nowe możliwości zastosowań takich złączy np. w laserach o emisji powierzchniowej (VCSELs) w ultrafioletowych diodach LED czy w ultraszybkich tranzystorach.
